Silikon karbid SIC98

►Yuqori qattiqlik.
► Kesish qobiliyati kuchli.
►Kimyoviy xossasida barqaror.
►Yashil kremniy karbid issiqlik o'tkazuvchanligi - Issiqlik o'tkazuvchanligi yaxshi.

So'rov yuborish

Ta'rif

Tavsif

Tabiiy kremniy karbid va mozanit (shuningdek, moissanit sifatida ham tanilgan) tarkibi juda kichik. Sanoatda ishlatiladigan silikon karbid, odatda zımpara deb nomlanuvchi sintetik materialdir. 1891 yilda amerikalik olim Acheson eritilgan olmos ustida o'tkazgan tajribada tasodifan karbidni topdi. O‘shanda u bu olmos aralashmasi deb yanglishib, unga zumrad deb nom qo‘ygan.

Xuddi shu yili Acheson kremniy karbidini sanoatda eritish usullarini o'rgandi. U odatda Acheson o'chog'i sifatida ham tanilgan va bugungi kunda ham foydalanilmoqda. Bu o'choq yadrosi sifatida karbonli materialdan foydalanadigan va silikon karbid SIC98 hosil qilish uchun kvarts SiO2 va uglerod aralashmasini elektr bilan isitadigan qarshilik o'choqidir.

Spetsifikatsiya

Model	Komponent%
60#	SiC	F.C		Fe2O3
65#	60 min	15-20	8-12	3,5 maks
70#	65 min	15-20	8-12	3,5 maks
75#	70 min	15-20	8-12	3,5 maks
80#	75 min	15-20	8-12	3,5 maks
85#	80 min	3-6		3,5 maks
90#	85 min	2,5 maks		3,5 maks
95#	90 min	1.0maks		1,2 maks
97#	95 min	0.6 maks		1,2 maks

Silicium Carbide Factory

Silicium Carbide Suppliers

Asosiy komponent SiC ga qo'shimcha ravishda, sanoatda ishlab chiqarilgan silikon karbid SIC98 qumi odatda aralashmalarni o'z ichiga oladi. Bu iflosliklar asosan quyidagilarni o'z ichiga oladi:

(1) Erkin kremniy. Uning bir qismi SiC kristalida eriydi va uning bir qismi o'z aralashmalari (temir, alyuminiy, kaltsiy va boshqalar) bilan qotishma hosil qiladi va kristallga yopishadi yoki kristallga singib ketadi.

(2) Erkin silika. Odatda kristall yuzalarda topiladi. Ularning ko'pchiligi qarshilik pechining sovutish jarayonida havodagi kislorod yoki suv bug'lari bilan SiC ning kontakt oksidlanishidan kelib chiqadi. Ingredientlarda kremniy xom ashyosi ortiqcha bo'lsa, u ham bug'lanadi va kremniy karbid kristalining yuzasida kondensatsiyalanadi va pechda oq va yumshoq SiO2 paydo bo'lishi mumkin.

(3) Uglerod. Uglerodning bir qismi SiC kristaliga o'ralgan va uning bir qismi metall aralashmalari bo'lgan karbidlarni hosil qiladi. Ingredientlarda juda ko'p uglerod mavjud bo'lganda, ko'rinadigan erkin uglerod zarralarini ko'rish mumkin.

(4) Temir, alyuminiy, kaltsiy, magniy va boshqalar. Pechdagi yuqori haroratni pasaytiruvchi atmosfera tufayli, kristall quyma tarkibidagi bu aralashmalarning aksariyati qotishma holatida yoki karbid holatidadir. Temir, magniy va kaltsiy kabi aralashmalar kristall panjaraga kirmaydi, lekin don chegaralarida va teshiklarda to'planadi. SiC panjarasiga kiradigan asosiy aralashmalar azot, alyuminiy va alyuminiy bo'lib, ular kristalning o'tkazuvchanlik xususiyatlariga muhim ta'sir ko'rsatadi.